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我國第三代半導體材料制造設備取得新突破
[2017-11-06]
通常，國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等...
全球硅晶圓供應告急 我國12英寸99%依賴進口
[2017-11-06]
據悉，硅晶圓一直是我國半導體產業鏈的一大短板，目前國內企業只能達到4～6英寸硅片的性能需要，并少量供應8英寸市場，12英寸硅晶圓基本是...
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